台媒:DRAM和NAND闪存供应过剩状况改善
2023-08-04 17:10:36
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来源:爱集微作 者:张杰
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据电子时报报道,业内观察人士表示,DRAM和NAND闪存的过剩情况自第三季度以来已大幅改善,供应过剩率最早可能在第四季度转为负值。
观察人士表示,市场供应过剩的改善是三星和美光等主要行业参与者限产的结果。芯片价格即将见底,但上涨速度仍取决于需求。
观察人士称,7月份8GB DDR4(1Gbx8)芯片和8GB DDR4模块的合同价格均下降了1.5%,但16GB DDR5模块的合同价格上涨了3-4%。
观察人士表示,人工智能服务器最近增加了对高带宽内存(HBM)的需求。在工艺转型或人工智能服务器推动更高的SSD需求时,DRAM将被主要内存制造商消化。
HBM需求暴增,三星电子、SK海力士等存储半导体企业正在推动HBM产线的扩张。两家公司计划在明年年底前投资超过2万亿韩元,使HBM生产线目前的产能增加一倍以上。
有韩媒报道称,HBM正在解冻存储器半导体市场。虽然三星和SK海力士尚未透露具体的HBM价格,但据悉最新第4代产品HBM3的价格约为最新传统DRAM的5-6倍。这就是今年HBM出货量仅占DRAM总出货量的1.7%,但其销售额比例却达到了11%的原因。